1、简介和概述

存储器（Memory）:

现代存储器指的是半导体存储器，数据存储在集成电路构建的存储器单元上。主要有两大类：易失性volatile（VM）、非易失性non-volatile(NVM)。

非易失性存储器NVM有：Flash、ROM、PROM、EPROM、EEPROM等。

易失性存储器VM有：DRAM、SRAM等。

现在有一种半易失性存储器：Semi-volatile Memory;指的是掉电后可在一段时间内保持数据。

2、缩写与缩略语

NVM：non-volatile Memory

VM：volatile Memory

RAM：Random-access Memory

SRAM: static RAM

DRAM: Dynamic RAM

ROM：read-only Memory

flash: Flash EEPROM Memory

3、描述

3.1 NVM：非易失性存储器；

特点：存储的数据不因掉电而消失；

-EPROM: 可擦写可编程只读存储器--使用紫外线

-EEPROM: 电可擦除可编程只读存储器--电信号

-FLASH：

--NOR FLASH: 具备随机访问的特性，可直接运行代码而不必将代码读到RAM中；容量一般较小。

--NAND FLASH：必须块访问，不可运行代码，容量一般较大。

属性

NOR

NAND

容量

较小

很大

XIP（可执行CODE）

可以

不行

读取速度

很快

快

写入速度

慢

快

擦除速度

很慢

快

可擦除次数

10000-100000

100000-1000000

可靠性

高

较低

访问方式

可随机访问

块访问（sector）

价格

高

低

-NVRAM：非易失性随机访问存储器，例如EEPROM

从可编程次数来看，NVM可以分为3类：

MTP: Multiple-Time Programmable，可以多次编程

FTP: Few-Time Programmable，可编程的次数有限

OTP: One-Time Programmable，只允许编程一次，一旦被编程，数据永久有效；例如eFuse、Anti-Fuse

3.2 VM：易失性存储器；

特点：需要电力维持存储信息。

大多数的半导体VM是静态RAM-SRAM、动态RAM-DRAM.

RAM:随机访问存储器，指的是可访问存储器的任意元素、可随机访问任意存储器的任意地址。

-SRAM：SRAM是一种基于触发器的存储器，使用稳定的存储电路来存储和保持数据。每个存储单元由一个存储器单元和控制电路组成，其中存储器单元由多个触发器构成，能够存储比特数据。由于采用了触发器结构，SRAM在不断刷新的过程中保持数据的稳定性。

SRAM存储密度低，访问速度快，成本相对较高，容量一般较小

-DRAM：DRAM是一种基于电容的存储器，使用电容来存储和表示数据。每个存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成。电容在存储器中充电或放电来表示数据的0和1。由于电容会逐渐漏电，DRAM需要定期刷新以保持数据的正确性。

DRAM存储密度高，访问速度慢，成本相对较低，容量一般较大。